AI 핵심 요약
beta- SK하이닉스가 8일 2028년 D램에 High-NA EUV를 적용하기로 했다.
- 기존 EUV 한계를 보완해 더 미세한 회로 패턴 구현에 나선다.
- 12인치 포토마스크 전환과 컨소시엄 참여도 검토했다.
!AI가 자동 생성한 요약으로 정확하지 않을 수 있어요.
기존 EUV보다 해상도 높인 차세대 노광기술…미세화 한계 대응
[서울=뉴스핌] 이찬우 기자 = SK하이닉스가 오는 2028년 D램 양산 공정에 차세대 노광 기술인 고개구수 극자외선(High-NA EUV)을 적용한다.
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12인치 포토마스크 도입을 위한 글로벌 컨소시엄 참여도 검토하며 차세대 D램 미세공정 경쟁력 확보에 나선다.
8일 관련 업계에 따르면 SK하이닉스는 2028년 High-NA EUV를 D램 양산에 적용하는 것을 목표로 하고 있다. High-NA EUV는 기존 EUV의 개구수(NA) 0.33을 0.55로 높여 더 미세한 회로 패턴을 구현할 수 있는 기술이다.
SK하이닉스는 2021년 10나노급 4세대(1a) D램에 EUV를 처음 적용한 뒤 첨단 D램으로 활용 범위를 넓혀왔다. 향후 미세화가 심화하면서 기존 EUV의 한계를 High-NA EUV로 보완한다는 구상이다.
12인치 포토마스크 전환도 검토한다. High-NA EUV는 기존 6인치 마스크를 사용할 경우 한 번에 노광하는 영역이 줄어 생산성이 떨어질 수 있다.
이에 ASML 등 글로벌 기업들은 마스크를 12인치로 확대해 생산성을 높이고 비용을 낮추는 방안을 추진하고 있다. SK하이닉스도 관련 컨소시엄 참여를 검토 중이다.
chanw@newspim.com
