[서울=뉴스핌] 송주원 기자 = 숭실대학교는 신소재공학과 이웅규 교수 연구팀이 차세대 DRAM 메모리 소자의 성능 향상에 기여할 수 있는 신규 박막 공정 기술을 개발했다고 17일 밝혔다.

연구팀은 차세대 컴퓨터 성능을 좌우하는 DRAM 메모리의 핵심 부품인 커패시터 성능을 높이기 위해 원자층증착(ALD) 기반 박막 공정 기술을 제시했다.

이번 연구의 핵심은 ALD 공정 초기 단계에서 일어나는 계면 반응과 산화 거동을 정밀하게 제어한 데 있다. 연구팀은 이를 통해 기존에 커패시터 성능 저하의 원인으로 꼽혀온 불필요한 계면 산화층 형성을 효과적으로 억제했다.

그 결과 메모리 소자의 누설전류 특성과 전기적 안정성이 개선됐으며, 차세대 DRAM 미세화 공정에서 중요한 박막 증착 기반 계면 제어 기술을 제시한 성과로 평가받고 있다.

이번 연구 결과는 재료과학 분야의 세계적 학술지인 Materials Horizons에 게재됐으며, 해당 호의 인사이드 프런트 커버(Inside Front Cover) 논문으로도 선정됐다. Materials Horizons는 영국 왕립화학회(RSC)가 발간하는 대표적 재료과학 학술지다.

이 교수는 "이번 연구는 반도체 핵심 공정인 ALD에서 박막이 성장하는 초기 단계의 계면 반응을 정밀하게 제어해 DRAM 커패시터의 성능 저하 문제를 근본적으로 개선할 수 있음을 보여줬다"며 "미세화가 빠르게 진행되는 차세대 메모리 소자에서 중요한 증착 공정 기반 계면 제어 기술로 활용될 수 있을 것"이라고 말했다.

jane94@newspim.com