AI 핵심 요약
beta- SK하이닉스는 16일 산학연구 우수발명 시상식을 열었다.
- 최우석 서울대 교수의 신호전송 회로 특허를 최우수상으로 뽑았다.
- 전극·공정·고속인터페이스 특허도 함께 선정했다.
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차세대 메모리 전극·공정·인터페이스 기술 등 선정
[서울=뉴스핌] 조민교 기자 = SK하이닉스가 인공지능(AI) 시대 고속 메모리의 데이터 전송 안정성을 높이는 회로 기술을 산학연구 최우수 발명으로 선정했다. 차세대 메모리 전극과 공정 기술 등 실제 반도체 제품 개발에 활용할 수 있는 산학협력 연구 성과도 함께 시상했다.
16일 SK하이닉스는 이천캠퍼스 영빈관에서 '2026 산학연구과제 우수발명 시상식'을 개최했다고 밝혔다. 지난해 출원된 산학특허 26건을 심사해 최우수상 1건과 우수상 1건, 장려상 3건 등 총 5건을 선정했다.

최우수상은 최우석 서울대학교 교수의 '차세대 다중 레벨 신호 전송을 위한 회로 설계' 관련 특허가 받았다.
AI와 고성능컴퓨팅(HPC)의 데이터 처리량이 늘어나면서 연산 칩과 메모리 사이에서 데이터를 빠르게 주고받는 고속 메모리 인터페이스의 중요성도 커지고 있다. 데이터 전송 속도가 빨라질수록 전원 전압이 흔들리는 잡음 등으로 신호 안정성이 떨어질 수 있다.
최 교수 연구팀은 이 같은 문제를 줄여 고속 환경에서도 데이터를 안정적으로 전송할 수 있도록 통신 회로를 개선했다. 연구진은 실측을 통해 개선된 방식이 기존 PAM3 방식보다 안정적으로 데이터를 전송할 수 있다는 점을 확인했으며 SK하이닉스와 관련 특허를 공동 출원했다.
우수상은 김형준 연세대학교 교수의 차세대 메모리용 전극 물질 및 소자 특성 관련 특허가 선정됐다. 새로운 소재나 복잡한 추가 공정을 도입하지 않고 공정 조건을 조절하는 방식으로 전극과 소자의 특성을 제어하는 기술이다. 연구실에서 개발한 소재와 공정을 실제 소자 수준에서 검증해 제품 개발에 적용할 수 있는 가능성을 높인 점이 평가받았다.
장려상에는 황철성 서울대학교 교수의 수직형 SOM 셀 물질 증착용 고온 ALD·CVD 공정 기술과 최병준 서울과학기술대학교 교수의 차세대 메모리용 고온 ALD·CVD 전구체 및 공정 기술, 한재덕 한양대학교 교수의 UFS 5.0 및 차세대 M-PHY 고속 인터페이스 회로 기술이 선정됐다.
SK하이닉스는 대학과 공동으로 수행한 연구 가운데 기술적 성과와 특허 가치가 높은 발명을 선정하는 산학연구과제 우수발명 시상식을 2013년부터 매년 개최하고 있다.
차선용 SK하이닉스 미래기술연구원장은 "산학 협력을 통해 발굴된 우수 특허가 국내 반도체 산업의 기술 경쟁력을 높이는 데 기여할 것으로 기대한다"며 "도전적이고 혁신적인 연구가 활발히 이뤄질 수 있도록 적극적인 지원을 이어가겠다"고 말했다.
mkyo@newspim.com












