[서울=뉴스핌] 양태훈 기자 = RF 질화갈륨(GaN) 반도체 전문기업 웨이비스가 장거리 지대공유도무기체계(L-SAM) 다기능레이더(MFR)에 적용되는 핵심 RF GaN 칩 국산화를 위한 기술 개발을 본격화한다.

웨이비스는 L-SAM 다기능레이더 송신부의 고출력증폭보드에 적용되는 S대역 고출력 RF GaN 고전자이동도트랜지스터(HEMT) 칩을 개발한다고 15일 밝혔다.

웨이비스는 지난 7월 23일 일반부품 국산화 개발협약을 체결한 데 이어 8월 21일 국방기술진흥연구소 관계자들과 착수회의를 열고 개발 범위와 단계별 시험·검증 계획을 구체화했다.

이번 사업은 현재 해외 부품에 의존하고 있는 L-SAM용 핵심 RF 반도체를 국내 기술로 개발해 공급 기반을 확보하고, 장기간 운용되는 무기체계의 유지·보수와 후속 군수지원에 활용하는 것을 목표로 한다.

RF GaN 반도체는 레이더 송신부에서 높은 출력과 효율, 고전압 동작 특성을 구현하는 부품이다. 회사 측은 방산 분야에서 해외 공급망 변화와 수출 통제 등에 따른 조달 불확실성을 낮추기 위해 핵심 RF 반도체의 국내 공급 기반 확보가 필요하다고 설명했다.

웨이비스는 국내 생산시설을 활용해 RF GaN HEMT 칩을 설계·제조하고, 개발한 칩을 적용한 내부정합형 트랜지스터(IMFET)와 고출력증폭보드도 제작할 예정이다. 이후 단계별 시험을 통해 실제 L-SAM 체계 적용 가능성을 검증한다.

검증은 ▲칩 단위 전기적·RF 특성 평가 ▲IMFET 출력·효율 검증 ▲고출력증폭보드 최적화 ▲L-SAM 체계 구성품 연계시험 순으로 진행한다. 국산 칩의 소자 특성에 맞춰 패키지와 보드 설계를 함께 최적화해 기존 체계가 요구하는 성능 충족 여부를 확인할 계획이다.

개발이 완료되면 웨이비스는 L-SAM 유지·보수에 필요한 부품 수요에 우선 대응할 예정이다. 이후 국산화 인증과 규격화 절차를 거쳐 후속 양산을 추진하고 국내 및 수출용 유사 레이더·유도무기체계로 적용 범위를 확대한다는 계획이다.

웨이비스는 RF GaN 반도체 설계부터 웨이퍼 제조, 패키징, 모듈 개발까지 연계하는 생산 기반을 운영하고 있다. 한국형 차기 구축함(KDDX)과 함정용 다기능레이더 등 방산체계를 대상으로 RF GaN 반도체와 관련 부품 국산화도 추진해왔다.

회사 측은 이번 L-SAM 일반부품 국산화 개발을 통해 기존 해상 분야에 이어 지상 방공체계로 RF GaN 반도체 적용 영역을 확대한다는 구상이다. 향후 국산화 인증과 규격화를 기반으로 방산 레이더와 유도무기체계용 RF 반도체 제품군도 늘릴 계획이다.

웨이비스 관계자는 "이번 사업은 국산 RF GaN 반도체의 적용 영역을 지상 방공체계로 확대하는 계기"라며 "국내 설계·제조 기반과 칩부터 패키지트랜지스터, 고출력증폭보드까지 연계할 수 있는 기술력을 바탕으로 L-SAM 핵심부품의 공급 안정성과 후속 군수지원 역량을 강화하겠다"고 말했다.

dconnect@newspim.com