随着韩国三星电子和SK海力士的主力产品——存储芯片有望进入超级周期，业界也对两家企业加快布局相对较弱的系统半导体领域期待感倍增。
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| 三星电子平泽园区P2生产线。【图片=三星电子提供】 |
据业界19日消息，三星电子和SK海力士今年有望加快布局自身较弱的系统半导体竞争力。
分析认为，两家企业今年或采取持续提高D-RAM和NAND芯片容量和性能的同时，通过加强人工智能（AI）处理器等系统半导体竞争力，缩小相互不均衡的战略。
近日，三星电子在业界首发存储芯片与人工智能处理器相结合的HBM-PIM（Processing-in-Memory）技术。
此前，行业性能最强且运用广泛的为HBM和HBM2内存技术，本次发布的HBM-PIM技术是在HBM芯片基础上结合AI处理器功能，成为业界首个高带宽内存（HBM）集成AI处理能力的半导体芯片。
三星电子表示，新技术可提供超过两倍的系统性能，减少功耗逾70%。公司计划上半年完成对该技术的验证工作并投入量产。
目前，三星电子正在显示器驱动IC（DDI）、移动应用处理器（AP）、互补金属氧化物半导体（CMOS）等领域扩大订单竞争力。
尤其是最近继车载芯片出现货源吃紧后，DDI等IT芯片的供货不足情况也愈发明显，因此有声音指出，三星电子业绩有望持续增加。此外，三星电子还提速芯片代工，将成为企业增加竞争力的后盾。
去年下半年起，三星电子位于京畿道华城的芯片代工生产线（V1）开始量产5纳米芯片；同时，从去年5月起建设的京畿道平泽园区P2生产线也将于今年上半年全面投产，应对以极紫外光刻（EUV）为基础的产品需求大增。
此外，三星电子的全新投资计划也备受瞩目。据《华尔街日报》和彭博社等外媒报道，三星电子计划斥资170亿美元在美国兴建芯片代工厂，其地址可能位于亚利桑那州、德克萨斯州或纽约。分析认为，公司此举可能与台积电此前在美国亚利桑那州投资建设新厂有关。三星电子虽回应尚未确定投资计划，但却引发业界期待。
SK海力士也将以CMOS图像传感器、DDI和电力管理集成IC（PMIC）等IT产品为中心，提高系统半导体竞争力。以代工为例，计划通过代工子公司SK海力士系统集成电路加强委托生产技术和生产竞争力，应对今年大好的代工市场，并借此改善公司效益。
尤其是SK海力士系统集成电路已将其位于韩国忠清北道清州工厂的所有半导体生产设备出售给SK海力士在中国无锡的合资公司。根据公司计划，公司将清州的200毫米晶圆生产线转移至中国后，该部门将成为SK海力士低端产品制造厂。而在韩国本部，SK海力士的制造业务将专注于高附加价值产品，包括300毫米晶圆图像传感器。
业界相关人士称，相较于存储芯片，韩国在系统半导体领域的竞争力较弱，培养该领域也需要一定时间。但由于人工智能、无人驾驶汽车等产业快速发展，半导体市场也趋于多元化，若韩国企业抓住机遇，将很快实现快速增长。
