AI 핵심 요약
beta- 그로쓰리서치는 15일 반도체 업황 축이 가격에서 생산·설비투자로 이동하며 소부장 업종 수혜가 커질 것이라 분석했다
- 삼성전자·SK하이닉스·TSMC 등 글로벌 기업들이 메모리·파운드리 설비투자를 확대하며 NAND 고단화 관련 소재·부품 수요 증가가 예상된다고 했다
- 유망 종목으로 삼양엔씨켐과 티씨케이를 제시하며 PR 소재·SiC 포커스링 등에서 NAND 고단화와 식각 공정 확대의 반복 매출 성장이 기대된다고 했다
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[서울=뉴스핌] 이나영 기자= 15일 그로쓰리서치는 반도체 업황의 중심축이 가격(P) 상승에서 생산량(Q) 확대와 설비투자(CapEx)로 이동하는 과정에서 반도체 소부장(소재·부품·장비) 업종에 대한 관심이 높아질 것으로 분석했다. 메모리 가격 상승 사이클이 성숙 단계에 진입하면서 향후 반도체 수혜가 대형 메모리 업체에서 소부장 기업으로 확산될 것으로 전망한다.
한용희·성인제 그로쓰리서치 연구원은 "반도체 업황은 가격 상승이 이익 개선을 주도하던 국면에서 판매량 확대와 설비투자가 실적을 견인하는 국면으로 전환되고 있다"며 "칩메이커 중심의 수혜가 점차 소부장 기업으로 이동할 가능성이 높다"고 밝혔다.
보고서에 따르면 DRAM 가격은 올해 1분기 전 분기 대비 93~98%, 2분기에도 58~63% 상승하며 큰 폭의 가격 인상이 이미 진행됐다. 반면 고객사의 가격 부담이 커지고 장기공급계약(LTA) 체결이 확대되면서 추가 가격 인상 여력은 점차 제한되고 있다는 분석이다.

이에 따라 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론 등 메모리 업체들은 가격 인상보다 생산량 확대와 신규 설비투자를 통한 수익 극대화에 집중하고 있는 것으로 평가됐다.
실제 글로벌 반도체 기업들의 투자 확대 움직임도 본격화되고 있다. TSMC는 2026년 설비투자 규모를 전년 대비 32% 늘어난 520억~560억달러로 제시했으며, 첨단 패키징(CoWoS) 생산능력도 올해 7만5000장 수준에서 내년 13만장 수준으로 확대할 계획이다. 삼성전자 역시 미국 텍사스주 테일러 파운드리 공장 가동을 앞두고 추가 투자에 나설 것으로 전망됐다.
DRAM 부문에서도 투자 확대가 예상된다. 삼성전자는 평택 P4 공장 장비 투자를 앞당기고 있으며 P5 공장 가동 시점도 기존 2028년에서 2027년 하반기로 앞당겨질 가능성이 제기됐다. SK하이닉스는 청주 M15X와 용인 클러스터를 중심으로 HBM 생산능력 확대에 나서고 있다.
그로쓰리서치는 이번 사이클에서 특히 NAND 고단화 관련 소재·부품 업체에 주목해야 한다고 강조했다. 연구원들은 "NAND는 신규 증설보다 기존 라인의 고단화 전환 투자가 중심"이라며 "적층 수가 증가할수록 식각 공정 난도가 높아지고 소재와 소모성 부품 사용량도 늘어나기 때문에 관련 기업들의 반복 매출 확대가 기대된다"고 설명했다.
유망 종목으로는 삼양엔씨켐과 티씨케이를 제시했다. 삼양엔씨켐은 반도체 노광공정 핵심 소재인 포토레지스트(PR)용 폴리머와 광산발생제(PAG)를 생산하는 기업이다. 연구원들은 "NAND 고단화에 필요한 Thick KrF PR 소재 수요 증가가 기대된다"며 "향후 DRAM과 파운드리용 ArF·EUV PR 소재로 사업 영역을 확대할 수 있다"고 평가했다.
티씨케이에 대해서는 "식각 공정용 SiC 포커스링 분야의 글로벌 경쟁력을 보유하고 있다"며 "NAND 적층 수 증가에 따른 식각 공정 확대와 교체 수요 증가로 반복 매출 성장이 기대된다"고 분석했다.
한 연구원은 "장비주는 설비투자 시점에 선행 반응하지만 소재·부품주는 가동률 상승과 함께 실적이 본격 개선된다"며 "현재는 NAND 관련 소재·부품 기업에 집중할 시기"라고 말했다.
nylee54@newspim.com












