[베이징=뉴스핌] 조용성 특파원 = 중국이 처리 속도를 기존 낸드 플래시 메모리 대비 압도적으로 높인 차세대 반도체를 개발해 냈다.

중국 푸단(復旦)대학교 반도체학과의 연구팀이 'CY(창잉, 長纓)-01'이라는 명칭의 아키텍처를 개발해 냈으며, 이 아키텍처를 기반으로 2차원 플래시 메모리 소자를 실리콘 기반 CMOS(상보성 금속산화막 반도체) 공정에 융합하는 데 성공했다고 중국 펑파이(澎湃)신문이 10일 전했다. 해당 연구 성과는 지난 8일 국제 학술지인 네이처에 등재됐다.

연구진은 PoX(포샤오, 破曉)라는 이름의 2차원 플래시 메모리 소자를 개발해 냈다. 2차원 소자란 두께 1nm(나노미터)의 소재를 뜻한다. 이 소자는 이론적으로 기존 플래시 메모리 대비 수백만 배의 속도를 낼 수 있다. 연구진은 2차원 메모리 반도체 소재 개발 관련 연구 성과를 지난 4월 네이처에 등재한 바 있다.

지난 4월에 발표한 2차원 소자는 현존하는 반도체 제조 공급망에 응용할 수 없다는 단점이 있었다. 연구진은 개발한 2차원 소자를 현존하는 실리콘 기반 반도체 제조 과정에 융합할 수 있는 새로운 제조 공정 아키텍처를 개발해 냈다. 해당 아키텍처의 명칭이 CY-01이다.

연구진은 CY-01을 개발하는 데 5년여가 소요됐다고 소개했다. 연구진은 2차원 메모리 회로와 기존 CMOS를 분리 제작하고 두 시스템을 미세 단일 칩 인터커넥트 기술로 정밀하게 결합해 냈다.

연구진은 "해당 공정을 통해 초고밀착을 실현했으며, 수율은 94%에 달했다"고 발표했다. 연구진은 "이는 세계 최초의 2차원-실리콘 하이브리드 구조의 플래시 메모리 칩"이라며 "해당 칩의 성능은 기존 플래시 메모리 반도체를 압도적 수준으로 능가한다"고 설명했다.

연구진의 저우펑(周鵬) 교수는 "이번 연구 성과로 인해 중국이 2차원 반도체 분야의 원천 기술을 확보하게 됐으며, 중국이 차세대 메모리 핵심 기술 분야에서 주도권을 쥐게 됐다"고 의미 부여했다.

중국의 매체들은 해당 칩이 기존 낸드 메모리 반도체 대비 수천 배에서 수만 배 이상 빠를 것이라는 관측을 내놓고 있다.

ys1744@newspim.com