[세종 = 뉴스핌] 이경태 기자 = 한국과학기술원(KAIST)은 조병진 교수팀이 데이터 저장 안정성을 유지하면서 삭제 속도를 획기적으로 높인 차세대 낸드플래시 메모리 구조를 개발했다고 20일 밝혔다.

기존 낸드플래시 메모리는 데이터 삭제 속도를 높이면 저장 안정성이 떨어지는 상충 관계가 초고용량 메모리 개발의 가장 큰 난제였다. 이는 반도체 산업의 성능 향상을 가로막는 근본적인 한계로 지적돼 왔다.

조 교수팀은 신소재 '붕소 산질화물(BON)'을 활용한 혁신적인 접근으로 이 문제를 해결했다. 개발된 '스마트 출입문' 반도체 구조는 데이터를 안전하게 보호하면서도 삭제 속도를 기존 대비 23배 향상시켰다.

이 기술은 단순한 성능 개선을 넘어 초고용량 메모리의 상용화를 앞당길 핵심 기술로 평가받고 있다. 향후 스마트폰, 데이터센터, AI 칩 등 다양한 분야에서 활용될 수 있을 것으로 기대된다.

연구팀의 성과는 국제적으로도 높이 평가받았다. 삼성휴먼테크논문대상에서 '대상'을 수상하며 그 혁신성을 세계적으로 인정받은 것이다.

조병진 교수는 "이번 연구는 반도체 메모리의 근본적인 한계를 극복한 결과"라며 "차세대 메모리 시장에서 한국의 기술 경쟁력을 강화할 것으로 기대한다"고 말했다.

업계 전문가들은 이 기술이 메모리 반도체 산업의 게임 체인저가 될 수 있다고 평가하고 있다. KAIST는 향후 산업체와의 협력을 통해 상용화를 추진할 계획이다.

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