[서울=뉴스핌] 이나영 기자= 팹리스 반도체 기업 지니틱스가 국책과제를 통해 차세대 GaN 전력반도체 구동IC 개발에 나선다고 16일 밝혔다.

지니틱스가 참여 중인 과제는 '650V 고속스위칭GaN 구동형 정밀DT 제어회로 내장 하프브리지형 구동IC 개발'이다. 개발 기간은 2024년부터 2026년 12월까지며, 한국전기연구원(KERI), 한양대학교, 아이티엠반도체 등이 협력한다.

회사에 따르면 지니틱스는 터치 컨트롤러IC 등 시스템반도체 설계 역량을 기반으로 전력반도체 구동IC 분야로 기술 적용 범위를 넓히고 있다. 이번 과제는 정밀 제어IC 설계 기술을 차세대 전력반도체 영역으로 확장하기 위한 것이다.

GaN 전력반도체는 고속 스위칭 특성이 중요한 만큼 이를 안정적으로 제어하는 구동IC 기술이 핵심이다. 지니틱스는 이번 과제를 통해 650V급 고전압 환경에 대응 가능한 절연·구동·하프브리지형 드라이버 설계 기술을 확보하고, 전기차 충전기, ESS, 서버, 태양광 등 파워산업 분야로 적용 범위를 넓힐 계획이다.

지니틱스 관계자는 "이번 과제는 GaN 전력반도체의 국산화와 상용화를 위한 선행 기술 확보라는 점에서 의미가 있다"며 "장기적으로는 절연, 구동, 제어 회로를 통합한 SoC 기반 원칩 및 원패키지화 기술 연구도 병행할 계획"이라고 말했다. 이어 "국내 연구기관 및 대학, 협력사와의 국책과제를 통해 핵심 구동IC 기술을 내재화하고, 향후 전력반도체 국산화 시장에서 성과를 만들어가겠다"고 덧붙였다.

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