纽斯频通讯社首尔2月12日电 韩国三星电子12日宣布,公司在全球率先量产并出货业界性能最强的高带宽存储器(HBM)4。

三星电子在HBM4研发阶段就将性能目标设定在超越半导体国际标准制定机构(JEDEC)的水平。
在制造工艺上,三星在DRAM单元芯片上采用1c工艺(第六代10纳米级DRAM技术),基板芯片则采用4纳米代工厂工艺。
HBM4稳定实现约46%超越JEDEC标准8千兆比特每秒(Gbps)的11.7Gbps速度,最高可扩展至13Gbps,较前代HBM3E(9.6Gbps)提升约1.22倍。
单堆栈存储带宽达3TB/s,是上一代产品的2.4倍。采用12层堆叠技术可提供36GB容量,未来若采用16层堆叠,容量可扩展至48GB。
功耗与发热也得到改善。I/O针脚增至2048个,同时采用低功耗设计,增加TSV低电压设计与电力分配网络优化。能源效率较前代提升约40%,热阻降低10%,散热特性提升30%。
三星电子强调,其整合逻辑、存储、晶圆代工与封装的垂直整合制造(IDM)结构是核心优势,并将加强代工工艺与HBM设计之间的设计技术协同优化(DTCO)合作。在先进封装能力基础上,进一步确保供应稳定性。
另外,三星电子计划今年下半年出货HBM4E样品,明年起将逐步供应客户定制化HBM产品,满足人工智能(AI)与数据中心需求增加。(完)
韩国纽斯频(NEWSPIM·뉴스핌)通讯社












