纽斯频通讯社首尔8月3日电 韩国SK海力士成功研发业界首款238层4D NAND闪存芯片。
SK海力士成功研发款238层4D NAND芯片。【图片=SK海力士提供】 |
SK海力士3日发布上述消息称,公司已向客户发送238层512Gb TLC(Triple Level Cell)4D NAND闪存芯片样品,该芯片计划明年上半年进入量产阶段。
SK海力士补充道,公司于2020年12月成功研发176层NAND闪存芯片,本次时隔1年零7个月相关技术再取得突破。尤其是新产品不仅拥有业界最高层数,还是目前最小的NAND产品,因此具有非常重要的意义。
SK海力士当天在美国加州举行的2022全球闪存峰会(Flash Memory Summit,FMS)上公开新产品。负责NAND芯片研发的SK海力士副社长崔正达表示,通过以4D NAND技术为基础研发的238层NAND 闪存芯片,公司在成本、性能和品质方面确保了全球顶级竞争力。公司今后为突破技术瓶颈,将继续进行创新。
SK海力士2018年推出的96层NAND闪存成功超越传动3D方式。为研发4D架构芯片,公司采用了电荷捕获技术(CTF,Charge Trap Flash)和PUC(Peri Under Cell)技术。与3D方式相比,4D架构具有单元面积更小,生产效率更高的优势。
新产品生产效率提升34%,数据传输速度(每秒2.4Gb)提升50%,功耗减少21%。
另外,SK海力士计划优先为客户端固态硬盘(SSD)供应新产品,随后逐渐扩至智能手机和大容量服务器固态硬盘,并计划明年推出1Tb扩容版。
韩国纽斯频(NEWSPIM·뉴스핌)通讯社