纽斯频通讯社世宗7月25日电 韩国三星电子领先台积电(TSMC)和英特尔等芯片代工企业,在全球首次成功量产的运用GAA制程工艺的3纳米芯片25日正式出厂。
图为三星电子相关人员手持晶圆合影。【图片=三星电子提供】 |
据产业通商资源部25日消息,产业通商资源部部长官李昌洋出席了当天在三星电子华城园区举行的"3纳米芯片出厂纪念仪式"。
三星电子6月30日宣布在全球率先量产采用3纳米工艺的芯片。该芯片基于全环绕棚极(Gate-All-Around, GAA)制程工艺,领先竞争对手台积电和英特尔,在代工芯片制造领域获得更多优势。
3纳米GAA技术采用更宽通的纳米片,与采用窄通道纳米线的GAA技术相比可提供更高的性能和能耗比。至此,三星可调整纳米晶体管的通道宽度,优化功耗和性能,满足更多客户的不同需求。
李昌洋表示,希望三星电子、系统半导体企业以及原材料、零部件和设备企业齐心协力,确保3纳米芯片高良率并稳定生产。政府也将以上周发布的半导体强国战略为基础,全力支持民间投资、人才培养、技术研发和构建原材料、零部件和设备生态系统。
另外,三星电子将把3纳米GAA工艺用于高性能计算器集群(HPC),计划同合作商携手扩展至移动系统级芯片(SoC)。公司也计划继华城园区后,在平泽园区也量产该芯片。
韩国纽斯频(NEWSPIM·뉴스핌)通讯社