[뉴스핌=김사헌 기자] 삼성전자가 차세대 메모리 표준 경쟁에서 앞서가기 위해 자기저항식 랜덤 액세스 메모리(Magnetoresistive Random Access Memory), 이른바 'M램' 기술 개발업체인 그란디스(Grandis Inc.)사를 인수하기로 했다고 1일(현지시간) 다우존스 벤처와이어가 자체 입수한 소식을 근거로 전했다.

이번 소식에 대해 그란디스의 경영진이나 투자자 그리고 삼성전자 측에서는 모두 논평을 내놓지 않은 상태.

벤처와이어가 입수한 정보에 따르면 이번 M&A 합의는 지난 7월 22일에 완료되었는데, 구체적인 인수조건은 확인되지 않았다. 다만 그란디스의 최고경영자(CEO)인 파르하드 타브리지(Farhad Tabrizi)는 전자우편을 통해 인수 조건에 대해 "기존 그란디스의 투자자들이 매우 성공적으로 빠져나갈 수 있게 됐다"고 자평했다.

그란디스는 2002년 설립 이래 모두 1500만 달러의 벤처 투자자금을 조달했으며, 주요 투자자들로는 어플라이드벤처스, 콘셉트벤처스, 인큐빅벤처펀드, 매트릭스파트너스 그리고 세빈로젠펀드 등이 있다. 그란디스는 이 같은 벤처 자금 외에 미국국방성 고등연구계획청(DARPA)에서 같은 규모의 연구보조비를 지원받았다.

벤처와이어는 세계 최대의 D램 및 플래시 메모리 공급업체인 삼성전자의 이번 그란디스 인수 소식이 앞서 러시안나노테크놀로지와 크로커스테크놀로지가 러시아에 M램 공장을 짓기 위해 3억 달러를 투자할 것이라고 발표하는 등 관련 기술이 실질적인 진전을 보고 있음을 확인한 지 얼마 되지 않아 나온 것이라는 점에서 더욱 주목된다고 전했다.

STT로 불리는 M램으로 한발 다가선 기술을 보유한 그란디스는 아직 첫 제품도 나오지 않았지만, 이미 일부 특허기술을 다른 회사에 제공하는 중이다. 벤처와이어의 이전 CEO 인터뷰에 따르면 제대로 된 제품은 올해 연말까지 나오는 것을 목표로 삼고 있다.

현재 M램 칩을 판매하는 유일한 기업은 에버스핀테크놀로지스로, 이 회사는 2008년 프리스케일 세미컨덕터로부터 분사했다. 이제까지 약 300만 개 정도의 칩을 공급했으며, 올해 이 보다 두 배 이상 더 공급량을 늘릴 것으로 예상된다.

한편, 다우존스 벤처와이어는 M램이 플래시 메모리를 대체할 차세대 표준 메모리가 될 기술이라고 소개했다.

M은 반도체 내부의 자기 메모리 셀의 자화 방향에 따라 0또는 1의 데이터 비트가 기록되는 메모리이다. M램은 기존의 D램을 능가하는 성능과 더불어 전원을 차단해도 기억한 정보가 지워지지 않는 비휘발성 특성으로 차세대 메모리로 크게 주목받고 있다.

이 기술의 핵심은 기존 비휘발성 메모리에 비해 빠른 속도(수년 내에 10나노초 정도 가능)와 초소형화의 가능성이다. 특히 M램은 웹사이트에서 데이터의 다운 로드 속도를 크게 향상시킬 수 있으며 메모리와 프로세스 칩 사이의 데이터 교환 병목 현상으로 인한 속도 제한을 제거할수 있는 장점을 갖고 있다. 또 컴퓨터에 내장되면 부팅과정 없이 전원을 켜는 즉시 사용 가능하다.

[뉴스핌 Newspim]김사헌 기자(herra79@newspim.com)