[서울=뉴스핌] 김정인 기자 = 삼성전자가 4나노 초저전력 공정을 고대역폭메모리(HBM)4 베이스다이에 적용하며 파운드리 경쟁력 회복에 속도를 내고 있다. 전력 소모를 줄이면서 데이터 처리 성능을 높인 공정 기술이 HBM과 인공지능(AI) 추론칩 수요 확대에 대응하는 핵심 기반으로 자리 잡는 모습이다.

삼성전자는 23일 뉴스룸을 통해 파운드리사업부 기술개발실 최정민 PL이 4나노 초저전력 반도체 공정 개발 성과로 지난 3월 '대한민국 엔지니어상'을 받았다고 밝혔다.

최 PL은 3차원 구조 트랜지스터인 핀펫(FinFET)의 높이와 소자 내부 컨택 폭을 줄여 정전용량을 낮추는 기술 개발을 주도했다. 이를 통해 전력 소모는 줄이면서 반도체 성능을 개선했다.

◆ 4나노 공정, HBM4 베이스다이에 적용

최 PL은 "4나노 초저전력 공정 기술을 선제적으로 도입해 HBM4 베이스다이 개발과 양산화에 기여했다"고 밝혔다.

HBM 베이스다이는 여러 층으로 적층된 D램과 그래픽처리장치(GPU), AI 가속기를 연결하며 데이터와 전원, 제어 신호를 관리하는 칩이다. 데이터 처리 속도와 전력 효율을 좌우해 HBM 성능을 결정하는 핵심 부품으로 꼽힌다.

삼성전자는 자체 파운드리 4나노 공정으로 HBM4 베이스다이를 생산해 메모리와 파운드리, 패키징 역량을 결합하고 있다. HBM 시장이 확대될수록 베이스다이를 생산하는 선단 파운드리 공정의 중요성도 커질 전망이다.

◆ AI 추론칩 수요에 4나노 가동 확대

업계에서는 삼성전자 4나노 공정의 가동률이 HBM4와 AI 추론용 반도체 수요를 바탕으로 빠르게 회복되고 있다는 관측이 나온다. 파운드리는 생산라인 가동률이 수익성과 직결되는 만큼 4나노 수요 확대가 실적 개선으로 이어질지 주목된다.

AI 시장의 중심이 학습에서 추론으로 확대되면서 글로벌 빅테크의 맞춤형 AI 반도체 수요도 증가하고 있다. 이에 따라 첨단 공정뿐 아니라 메모리와 설계, 패키징을 함께 제공하는 삼성전자의 통합 반도체 역량도 부각될 것으로 보인다.

최 PL은 "AI 시대를 이끄는 핵심에는 반도체 공정 기술이 있다"며 "대한민국의 AI 경쟁력을 높이고 더 나은 미래를 만드는 일이라는 자부심을 갖고 있다"고 말했다.

kji01@newspim.com