[서울=뉴스핌] 양태훈 기자 = 빅텍은 27일 미국 반도체 기업 엔엑스빔(Nxbeam)과 전략적 협력 양해각서(MOU)를 체결했다고 밝혔다.

엔엑스빔은 미국 방산기업 노스롭그루먼(Northrop Grumman)의 생산시설을 활용해 질화갈륨(GaN) 반도체를 생산하는 기업으로, 위성통신 및 국방 전자 분야의 초고주파 고출력 반도체 설계 역량을 보유하고 있다.

이번 협약은 차세대 전자전 및 위성 통신 시스템에 적용되는 고출력 무선주파수(RF) 반도체 핵심 기술을 확보하고, 국방 반도체 기술 자립 기반을 강화하기 위한 전략적 협력의 일환으로 이뤄졌다. 빅텍은 엔엑스빔의 고출력 GaN 반도체 설계 기술과 자사 증폭기·시스템 기술을 결합해 국방 반도체 기술 자립 기반을 강화한다는 구상이다.

고출력 GaN RF 반도체는 전자전 재머, 위성통신, 능동위상배열(AESA) 레이더 등 첨단 국방 시스템의 핵심 부품으로, 기존 반도체 대비 높은 출력 성능과 효율을 제공한다.

빅텍 관계자는 "이번 엔엑스빔과의 협력은 세계 최고 수준의 GaN 반도체 제조 기반과 설계 기술을 활용해 고출력 RF 반도체 및 증폭기 기술 경쟁력을 확보하기 위한 전략적 결정"이라며 "이를 통해 국내 국방 반도체 기술 자립 기반을 강화하고 전자전 및 위성 통신 분야에서 글로벌 수준의 기술 경쟁력을 확보해 나가겠다"고 밝혔다.

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