纽斯频通讯社首尔6月28日电 韩国三星电子有望最快本周宣布量产3纳米芯片,新一代3纳米芯片采用Gate-All-Around(GAA)技术。业界认为,三星电子研发的3纳米制程工艺需在达到80-90%的良率且确保客户的情况下,才能在竞争中脱颖而出。
资料图。【图片=网络】 |
据业界28日消息,三星电子有望本月宣布量产3纳米芯片。
此前有报道称,三星电子因技术问题,延期量产3纳米芯片。但公司出面表示,研发正按计划进行。
三星与台积电在芯片制造领域一直保持激烈竞争。台积电曾宣布,公司将在下半年量产3纳米芯片。分析认为,三星电子能否在激烈的竞争中脱颖而出,良率和客户成重中之重。
曾有消息称,三星电子3纳米芯片良率仅在35%左右,让业界对三星是否能实现芯片量产持谨慎态度。但本月22日,三星电子芯片负责人庆桂显在平泽工厂向媒体表示,将于近期发布量产3纳米芯片,届时还将公布良率和客户情况。
一般而言,良率越高,说明在3纳米芯片量产过程中,每个晶圆生产的芯片越多,利润就越高,芯片价格也就越低。从客户的立场上来看,前者将成为选择芯片厂商的一大因素。业界期待三星电子提高3纳米芯片良率,扩大市场份额。
另外,与当前的FinFET工艺相比,GAA工艺可让芯片面积减少45%的同时提升30%的性能,功耗降低50%。
韩国纽斯频(NEWSPIM·뉴스핌)通讯社