AI 핵심 요약
beta- SK하이닉스가 22일 반도체의 날 기념식에서 5개 포상을 받았다
- 권재순 부사장은 HBM 양산과 차세대 메모리 개발 공로로 훈장받았다
- 임직원 4명은 D램·낸드 기술과 장비 국산화 공로를 인정받았다
!AI가 자동 생성한 요약으로 정확하지 않을 수 있어요.
[서울=뉴스핌] 이승우 기자 = SK하이닉스가 '제19회 반도체의 날' 기념식에서 동탑산업훈장을 비롯해 5개 포상을 받았다. 세계 최초 고대역폭메모리(HMB) 양산 체계 구축과 차세대 D램·낸드 개발 등 인공지능(AI) 메모리 기술 경쟁력을 끌어올린 공로를 인정받았다.
SK하이닉스는 지난 21일 서울 강남구 그랜드 인터컨티넨탈 서울 파르나스에서 열린 기념식에서 권재순 M&T 부문장(부사장)이 동탑산업훈장을 수훈했다고 22일 밝혔다. 김보연 DRAM개발 팀장, 박형윤 M&T 팀장, 이승철 기반기술센터 TL은 산업통상부 장관 표창을, 성문수 NAND개발 팀장은 한국반도체산업협회장상을 받았다.

권 부사장은 세계 최초로 HBM 양산 체계를 갖추고 생산성과 수율을 끌어올려 SK하이닉스가 글로벌 시장 주도권을 확보하는 데 핵심 역할을 했다는 평가를 받는다. 세계 최초 10나노급 6세대(1c) D램 개발·양산과 321단 낸드 적기 양산 체계 구축도 이끌었다. 청주 M15X의 HBM 팹을 조기 가동하고 양산 기간을 단축해 용인 반도체 클러스터에 적용할 기반을 마련했다. 전사 AX 전담 조직을 신설해 '자율 운영 팹(Autonomous FAB)' 전환을 추진하고 있다. 소재·부품·장비 국산화와 협력사 동반성장 프로그램을 통한 생태계 경쟁력 강화에도 힘을 쏟았다.
김보연 팀장은 3DS(TSV로 D램 칩을 쌓은 고성능 메모리) 기술 기반 서버용 고용량 메모리 시장의 주도권 확보에 기여했다. 2018년 세계 최초로 10나노급 2세대(1y) 16Gb 3DS DDR4 기술을 개발한 데 이어 DDR5 5세대(1b), 6세대(1c)까지 핵심 설계 기술을 개발해 속도·전력 특성에서 경쟁 우위를 확보했다.
박형윤 팀장은 238단 이상 고적층 낸드 수율 개선 TF를 이끌며 목표 수율을 조기 달성했고, 극저온 기반 공정·장비 제어 기술을 업계 최초로 도입해 불량률을 낮췄다. 공정 가스 공급망 다변화와 장비사와의 성과 연동형 상생 모델로 원가 절감에도 기여했다.
이승철 TL은 반도체 장비 제어 소프트웨어와 실시간 데이터 플랫폼을 자체 개발하고, 중소·중견 장비사와 공동 개발로 국산 장비의 신뢰성과 양산성을 높였다. 산학 협력으로 개발한 AI 스케줄러 특허를 무상 양도하기도 했다.
성문수 팀장은 차세대 낸드 설계 플랫폼을 개발하고 321단 낸드 개발에 참여했다. 기존 플랫폼을 최대한 활용해 투자비를 줄이면서도 경쟁사보다 큰 용량을 확보, eSSD·cSSD·모바일 UFS 등 서버와 온디바이스 AI 시장 진입에 기여했다.
반도체의 날은 1994년 반도체 수출 100억달러 돌파를 기념해 제정됐으며, 산업통상부와 한국반도체산업협회가 매년 10월 기념식을 열고 유공자를 포상하고 있다.
SK하이닉스 관계자는 "각자의 자리에서 기술 한계 극복을 위해 힘써온 구성원들의 노력이 인정받은 결과"라며 "AI 메모리 기술 리더십을 바탕으로 국내 반도체 산업 경쟁력을 높이는 데 기여하겠다"고 말했다.
raul1649@newspim.com












