[서울=뉴스핌] 서영욱 기자 = 삼성전자와 SK하이닉스가 세계 최대 규모의 반도체 공정·장비 연구개발(R&D) 시설에서 차세대 반도체 기술 개발에 나선다.

글로벌 반도체 장비업체 어플라이드 머티어리얼즈가 미국에 구축한 연구거점에 나란히 참여해 고대역폭메모리(HBM)와 첨단 공정, 패키징 기술의 상용화 속도를 높인다는 구상이다.

어플라이드 머티어리얼즈는 12일(현지시간) 미국 캘리포니아주 서니베일에서 총 50억 달러 규모의 'EPIC(Equipment and Process Innovation and Commercialization) 센터'를 공개했다고 13일 밝혔다.

EPIC 센터는 반도체 재료와 제조 장비, 공정 기술을 공동 개발하는 연구시설이다. 약 5만5700㎡ 규모의 건물에 1만6200㎡에 달하는 첨단 클린룸을 갖췄다. 투자액 50억 달러는 고객사 프로젝트 진행에 따라 단계적으로 집행될 예정이다.

삼성전자와 SK하이닉스는 TSMC, 인텔, 마이크론과 함께 EPIC 센터의 창립 파트너로 참여한다. 브로드컴과 아드반테스트, 키옥시아 등 장비·반도체 기업과 스탠퍼드대, UC버클리 등 연구기관도 협력에 나선다.

특히 삼성전자와 SK하이닉스는 각각 엔지니어를 현지에 투입해 어플라이드 연구진과 차세대 기술을 공동 개발한다. 개별 기업의 기술 로드맵에 맞춰 보안이 확보된 환경에서 협력하는 방식이다.

삼성전자는 메모리뿐 아니라 첨단 로직 반도체와 패키징까지 협력 범위를 넓힌다. 차세대 미세공정 구현에 필요한 신소재와 패터닝, 식각, 증착 기술을 공동 개발하고 개발 초기부터 실제 양산을 고려한 공정 최적화에 나선다.

송재혁 삼성전자 DS부문 최고기술책임자(CTO)는 "삼성전자는 메모리, 첨단 로직, 첨단 패키징을 아우르는 기술 역량을 바탕으로 AI 시대의 컴퓨팅 기술 발전을 추진하고 있다"며 "EPIC을 통해 혁신 기술의 개발부터 실제 적용까지 전 과정을 가속화할 것"이라고 밝혔다.

SK하이닉스는 HBM과 D램, 낸드 등 차세대 메모리 기술 개발에 집중한다. 특히 새로운 반도체 소재와 공정 통합, 3차원(3D) 첨단 패키징 기술을 어플라이드와 공동 연구해 차세대 HBM의 성능과 생산성을 높인다는 계획이다.

곽노정 SK하이닉스 CEO는 "AI 컴퓨팅의 핵심 과제는 갈수록 강력해지는 프로세서에 데이터를 충분히 빠르게 전달하는 것"이라며 "어플라이드와 협력해 HBM, D램, 낸드 전반의 주요 기술 전환점에 대응하고 메모리 혁신을 가속할 것"이라고 말했다.

EPIC 센터의 핵심은 기존에 분리돼 있던 소재 연구와 장비 개발, 공정 검증을 하나의 시설에서 병행하는 데 있다. 반도체 제조사가 개발 초기부터 참여해 양산 단계에서 발생할 수 있는 문제를 줄이고 수율 확보 기간을 단축하는 방식이다.

게리 디커슨 어플라이드 머티어리얼즈 CEO는 "AI 인프라 확대에 따라 반도체 제조 기술의 복잡성이 전례 없이 높아지고 있다"며 "세계 주요 반도체 기업들과 협력해 신기술 개발부터 대량 양산까지 걸리는 시간을 앞당길 것"이라고 강조했다.

삼성전자와 SK하이닉스는 이번 협력을 통해 차세대 반도체 장비와 공정 기술을 조기에 검증하고, AI 메모리 시장의 기술 경쟁에 대응할 계획이다.

syu@newspim.com