[서울=뉴스핌] 조민교 기자 = SK하이닉스가 TSMC와 차세대 고대역폭메모리(HBM) 협력을 확대하고 인공지능(AI) 시장을 겨냥한 차세대 메모리 제품과 개발 전략을 공개했다.

28일 SK하이닉스 뉴스룸에 따르면 SK하이닉스는 지난 23일(현지시간) 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 열린 'TSMC 오픈 이노베이션 플랫폼(OIP) 콘퍼런스'에 참가해 HBM과 서버용 D램, 기업용 솔리드스테이트드라이브(eSSD) 등 차세대 AI 메모리 포트폴리오를 선보였다.

특히 이번 행사에서 SK하이닉스는 엔비디아의 차세대 AI 플랫폼 '베라 루빈'에 적용되는 핵심 메모리 제품을 전면에 내세웠다. 전시장에는 베라 루빈과 함께 HBM4 36GB 12단 제품과 96GB SOCAMM2가 공개됐다. HBM4E 48GB 12단, HBM4 48GB 16단, HBM3E 36GB 12단, 192GB SOCAMM2 등 차세대 제품도 함께 전시됐다.

AI 서버용 메모리와 저장장치 제품군도 대거 공개됐다. 서버용 D램으로는 256GB 3DS RDIMM과 128GB MRDIMM, 10나노급 6세대(1c) 공정을 적용한 64GB RDIMM을 선보였다. SSD 제품군에서는 액체냉각을 지원하는 PEB210 E1.S와 QLC 기반 eSSD인 PS1101 E3.S 등을 소개했다.

TSMC와의 차세대 HBM 협력 성과도 공식적으로 인정받았다. SK하이닉스는 이번 행사에서 TSMC의 '3DFabric-HBM Integration' 부문 '올해의 파트너상'을 2년 연속 수상했다. 양사는 TSMC의 첨단 패키징 기술인 CoWoS를 활용해 차세대 HBM5를 검증해 왔으며, 이 같은 협업 성과가 이번 수상으로 이어졌다.

SK하이닉스는 AI 인프라 확대에 맞춰 차세대 eSSD 시장 공략도 강화하고 있다. 박대식 SK하이닉스 PCIe Design 팀장은 케이던스와의 공동 발표에서 PCIe 기반 eSSD 시장이 2026년 509EB에서 2030년 1933EB로 약 3.8배 성장할 것으로 전망했다.

차세대 SSD에서는 칩렛 구조를 도입해 성능과 개발 효율을 함께 높일 계획이다. SK하이닉스는 PCIe 6세대와 7세대 SSD부터 하나의 컨트롤러를 기능별로 나눈 칩렛 구조를 적용하고, 각 칩렛을 UCIe로 연결하는 방식을 준비하고 있다. 이를 통해 제품 개발 기간을 줄이고 기능별로 공정을 개선하는 동시에 용량 확대와 전력 효율 개선도 가능할 것으로 기대하고 있다.

SK하이닉스는 TSMC를 비롯한 반도체 생태계 기업들과 협력을 이어가며 AI용 메모리 경쟁력을 높인다는 방침이다. SK하이닉스 관계자는 "앞으로도 다양한 파트너들과 긴밀히 협업하며 AI 시대가 요구하는 메모리 설루션을 함께 만들어 나가겠다"고 말했다.

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