[서울=뉴스핌] 김정인 기자 = 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문에서 세계 최고 권위의 학술 영예인 미국 전기전자공학회(IEEE) 펠로우가 배출됐다. DS부문 '미주 반도체연구소(DSRA)' 시스템LSI 연구소장 송기봉 부사장과 반도체연구소 DRAM TD팀 한진우 상무가 2026년 IEEE 펠로우(석학회원)로 선정된 것이다. 이들은 차세대 이동통신과 메모리 기술 분야에서의 연구 성과를 인정받았다.
IEEE 펠로우는 미국 전기전자공학회가 회원에게 부여하는 최고 명예 등급으로, 전체 회원 가운데 상위 0.1%만 선정된다. 전기·전자공학 전반에서 10년 이상 연구·개발 경험을 쌓고, 통신·반도체 등 다양한 분야에서 탁월한 성과를 통해 산업과 사회 발전에 기여한 인물을 대상으로 IEEE 이사회가 엄정한 기준에 따라 선임한다.
글로벌 빅테크 기업을 거쳐 삼성전자 미주 반도체연구소에 합류한 송기봉 부사장은 현재 DS부문 미주 반도체연구소(DSRA) 시스템LSI 연구소장을 맡아 모뎀, 커넥티비티, 온디바이스 인공지능(AI), 시스템온칩(SoC) 기술 개발을 총괄하고 있다. 무선통신과 신호처리, 모뎀-RF 시스템을 위한 AI 기술 분야에서 다수의 연구 논문을 발표했으며, 80건이 넘는 특허를 보유하고 있다.
송 부사장의 펠로우 선정에는 셀룰러 통신 분야에서 축적해 온 모뎀-RF 시스템 설계 및 성능 최적화 기여가 주요하게 반영됐다. 업계 최초 5G 모뎀 개발과 5G 밀리미터파(mmWave) 송수신기 기술 고도화, 엑시노스 모뎀 5400과 엑시노스 2500에 적용된 비지상 네트워크(NTN) 기반 위성 응급 서비스 구현 등 차세대 이동통신 기술의 상용화를 이끈 성과가 높게 평가됐다.
송 부사장은 "오랜 기간 연구해 온 기술과 제품이 사회에 기여했다는 점을 인정받아 영광"이라며 "앞으로도 6G와 피지컬 AI 시대를 대비해 통신·연산·센싱이 결합된 새로운 반도체 기술과 제품 개발로 혁신을 이어가겠다"고 말했다.
한진우 상무는 삼성전자 DS부문 반도체연구소에서 차세대 D램 연구 조직을 담당하며 '차세대 3D D램' 개발을 선도해 왔다. 미국 항공우주국을 거쳐 삼성전자에 합류한 그는 메모리, 로직, 센서 등 다양한 분야에서 200건 이상의 특허와 160편 이상의 SCI급 논문을 발표하며 연구 성과를 쌓아왔다.
3D D램은 D램 셀을 평면이 아닌 수직 방향으로 적층해 칩 면적당 저장 용량을 확장하는 구조로, 미세화 한계에 따른 누설전류와 셀 간 간섭 문제를 완화할 수 있는 차세대 메모리 기술로 주목받고 있다. 삼성전자는 이러한 수직 적층 구조의 D램을 'VS-DRAM'으로 명명하고 관련 연구를 이어가고 있다.
한 상무는 "AI 일상화로 데이터의 가치가 더욱 중요해진 상황에서, 웨이퍼 본딩은 여러 층의 메모리 신호를 빠르고 안정적으로 연결할 수 있는 핵심 기술"이라며 "차세대 메모리 구조 구현을 위한 결정적 기반이 될 것"이라고 설명했다. 이어 "연구자들은 다양한 연관 기술을 폭넓게 이해하는 동시에, 제품 구조와 계층 관계에 대한 깊은 통찰을 갖추는 것이 중요하다"고 강조했다.
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