纽斯频通讯社首尔10月14日电 受中国存储芯片制造商长鑫存储（CXMT）公布下一代动态随机存取存储器（DRAM）产品计划等因素影响，韩国三星电子和SK海力士股价13日大幅下跌。分析指出，市场对中国半导体技术追赶的担忧可能被过度反映，外资抛售以及人工智能（AI）基础设施投资持续性的不确定性也是股价下跌的原因。

据金融投资业界14日消息，长鑫存储13日在中国股市盘中一度下跌5.3%，跌至今年7月以来的最低水平。同日，三星电子股价下跌7.39%，收于23.2万韩元；SK海力士股价下跌10.09%，收于144.3万韩元。韩国综合股价指数（KOSPI）下跌5.46%，收于6035.35点。

市场担忧的焦点之一是长鑫存储的下一代服务器用DRAM产品计划。该公司表示，将于年内推出采用4F²结构的DDR5产品。与现有的6F²结构相比，4F²结构有助于缩小DRAM存储单元面积、提高集成密度。市场因此担心，中国企业的技术进步可能进一步加剧全球存储芯片市场的竞争。

不过，相关产品能否实现大规模量产并扩大供应仍有待观察。专家指出，技术研发进展并不等同于稳定的量产能力。在良率、产量和客户认证等情况尚未得到验证之前，还难以判断长鑫存储的新技术将对韩国半导体企业造成多大影响。

中国经济金融研究所所长全炳瑞表示，仅凭长鑫存储公布4F²技术尚不足以认定其技术水平已经超过韩国企业。4F²主要涉及存储单元的排列方式，实际集成密度还取决于存储单元结构和制程微细化程度，不能将率先采用某种结构等同于技术领先。

全炳瑞说，在生产良率、供应规模和客户认证情况尚未明确的情况下，不能仅凭产品发布计划断言其已取得领先优势。单一存储单元结构的变化，也不足以直接改变制造成本、良率和高带宽存储器（HBM）领域的竞争格局。

他同时提醒，应重视中国长期的技术追赶。目前销售的6F² DRAM产品领域，韩中技术差距已缩小至约3年，韩国企业需警惕这一趋势。

韩国科学技术院机械工程系兼任教授、韩国生成式人工智能基金会协会会长宋世景（音）认为，中国半导体技术发展不仅是企业之间的竞争，也涉及长期产业竞争。为满足本国AI产业的半导体需求，中国预计将继续推进相关技术研发，并可能在掌握存储芯片技术后，进一步提升在HBM等AI半导体领域的竞争力。

宋世景表示，韩国半导体企业不仅要提升单一产品的技术实力，还应增强产业生态系统的整体竞争力。有必要将HBM、图形处理器（GPU）和高速通信技术等结合起来，构建综合竞争优势。

世宗大学经营学部教授金大钟（音）也表示，中国依托雄厚的资金实力和庞大的内需市场，正在迅速缩小与韩国之间的技术差距。未来3至5年将是三星电子和SK海力士能否维持存储芯片领先优势的关键时期。

Kiwoom证券表示，长鑫存储目前公布的是计划于年底前公开并推出相关产品，实际量产能力、良率、性能和客户认证等情况仍未得到验证。因此，现阶段就将中国新一代存储芯片可能引发的供应过剩反映在股价中并不合适。（完）

韩国纽斯频（NEWSPIM·뉴스핌）通讯社