[서울=뉴스핌] 서영욱 기자 = 삼성전자가 분기 영업이익 100조원을 돌파한 배경에는 메모리 반도체의 폭발적인 수익성 개선이 자리 잡고 있다. 고대역폭메모리(HBM)에 이어 범용 D램과 낸드플래시까지 가격이 급등하면서 메모리 전반이 이례적인 초고마진 구간에 진입했다.

특히 범용 D램의 수익성이 HBM을 추월하는 이례적인 현상까지 나타났다. 내년에는 HBM 가격도 큰 폭으로 오를 것으로 전망되면서 반도체 호황이 장기화할 가능성에 무게가 실리고 있다.

8일 반도체업계에 따르면 삼성전자는 이날 3분기 연결기준 매출 195조원, 영업이익 107조4000억원의 잠정 실적을 발표했다. 매출은 전년 동기 대비 126.59%, 영업이익은 782.50% 증가했다. 전분기와 비교해도 각각 13.70%, 20.01% 늘었다.

이날 사업부문별 실적을 발표하지는 않았으나 증권가에서는 반도체 부문에서만 110조원의 영업이익을 달성한 것으로 보고 있다.

◆D램 이익률 83%·낸드 71%…메모리 초고마진 시대
실적 개선을 주도한 것은 메모리 반도체다. 증권가에서는 삼성전자 D램의 3분기 영업이익률이 83%, 낸드는 71%에 달했을 것으로 추정하고 있다.

이 같은 수익성의 배경에는 범용 메모리 가격 급등이 있다. AI 데이터센터 투자가 확대되면서 HBM뿐 아니라 서버용 D램과 기업용 솔리드스테이트드라이브(SSD) 수요가 동반 증가했다. 반면 메모리 업체들이 생산능력을 단기간에 확대하기 어려워지면서 공급 부족이 심화했고, 가격 결정권은 공급업체 쪽으로 기울었다.

시장조사업체 트렌드포스에 따르면 범용 D램 계약가격은 올해 1분기 전분기 대비 93~98%, 2분기에도 58~63% 상승할 것으로 전망됐다. 상반기에만 가격 수준이 크게 높아진 데 이어 하반기에도 추가 상승세가 이어지면서 메모리 업체들의 수익성을 끌어올리고 있다.

◆HBM보다 돈 되는 범용 D램…수익성 역전
특히 눈에 띄는 변화는 범용 D램과 HBM의 수익성 역전이다. 트렌드포스는 지난 6월 발표한 보고서에서 올해 1분기 서버용 DDR5 64GB RDIMM의 웨이퍼당 매출과 수익성이 HBM을 넘어섰다고 분석했다.

HBM은 여러 개의 D램 칩을 수직으로 쌓아 만드는 고부가가치 제품이다. 일반 D램보다 제조공정이 복잡하고 같은 용량을 생산하는 데 더 많은 웨이퍼가 필요하지만, 높은 판매가격을 바탕으로 수익성이 우수한 제품으로 평가받아 왔다.

그러나 지난해 체결한 연간 공급계약이 올해 HBM 가격에 영향을 미치는 동안 범용 D램은 급등한 시황을 상대적으로 빠르게 반영했다. 가격 상승 속도의 차이가 일부 서버용 D램의 수익성을 HBM보다 높이는 결과로 이어진 것이다.

낸드 역시 AI 데이터센터를 중심으로 고수익 제품의 수요가 확대되고 있다. 대규모언어모델(LLM)의 학습뿐 아니라 AI 추론과 실시간 데이터 처리에 필요한 기업용 SSD 구매가 늘면서 가격 상승을 이끌고 있다.

트렌드포스는 올해 기업용 SSD의 비트 수요가 전년 대비 80% 이상 증가할 것으로 예상했다. 4분기 낸드 전체 계약가격은 전분기 대비 15~20%, 기업용 SSD는 23~28% 상승할 것으로 전망했다. 다만 스마트폰과 소비자용 저장장치 수요는 상대적으로 부진해 제품별 가격 상승 폭에는 차이가 나타나고 있다.

◆내년 HBM 가격 121% 급등 전망…고수익 이어지나
범용 메모리의 수익성 상승은 내년 HBM 가격에도 영향을 미칠 전망이다. 생산업체 입장에서는 같은 웨이퍼를 투입했을 때 범용 D램의 수익성이 더 높아진 만큼 HBM을 공급할 때도 그에 상응하는 가격을 확보해야 할 필요성이 커졌기 때문이다.

트렌드포스는 지난달 29일 발표한 보고서에서 내년 HBM 평균판매가격(ASP)이 올해보다 121% 상승할 것으로 내다봤다. 기존 제품의 계약가격 인상뿐 아니라 고가 제품인 HBM4의 공급 비중 확대와 내년 하반기 HBM4E 양산 증가 등을 반영한 전망이다.

이는 동일한 규격의 HBM 가격이 일률적으로 두 배 이상 오른다는 의미는 아니다. 다만 차세대 제품 전환과 공급 부족이 맞물리면서 HBM 시장 전체의 가격 수준이 크게 높아질 수 있다는 분석이다.

실제 메모리 업체들도 내년 HBM 가격 인상을 예고하고 있다. 산제이 메로트라 마이크론 최고경영자(CEO)는 지난달 30일 실적발표 콘퍼런스콜에서 2027년 HBM 공급물량의 상당 부분이 이미 판매계약을 통해 확보됐으며, 계약가격도 2026년보다 훨씬 높다고 밝혔다. 그는 이러한 가격 상승이 HBM과 비HBM 메모리 간 수익성 격차를 줄이는 데 기여할 것이라고 설명했다.

반도체업계 관계자는 "HBM과 범용 D램은 생산능력을 공유하는 만큼 어느 한쪽의 생산을 늘리면 다른 쪽의 공급이 제한될 수밖에 없는 구조"라며 "HBM은 적층 공정과 수율 확보에도 시간이 필요해 단기간에 공급을 확대하기 어렵다"고 설명했다.

이어 "올해는 범용 D램과 낸드의 가격 급등이 수익성을 끌어올렸다면 내년에는 HBM 가격 인상 효과까지 더해질 가능성이 있다"며 "다만 범용 메모리 가격 상승세가 둔화하고 있고 HBM4의 생산원가와 수율도 변수인 만큼 높은 수익성을 얼마나 유지하느냐가 관건"이라고 말했다.

syu@newspim.com