[베이징=뉴스핌] 조용성 특파원 = 중국 IT 기업 화웨이(華爲)가 개발한 최신 AP(애플리케이션 프로세서) 칩이 SMIC(중신궈지, 中芯國際)의 N+3 공정으로 제작된 것으로 나타났다.
캐나다의 IT 전문 조사 기관인 테크인사이트는 화웨이의 최신 AP인 기린 9030 칩이 SMIC에서 제조되었으며, 7나노미터(nm) 공정이 적용된 것으로 분석됐다고 발표했다.
화웨이는 팹리스(반도체 설계 전문 업체) 자회사인 하이실리콘(하이쓰, 海思)이 개발한 칩을 중국 최대 파운드리(반도체 외주 제작) 업체인 SMIC를 통해 제조해 왔다.
화웨이는 미국의 제재로 인해 TSMC의 파운드리 서비스를 이용할 수 없는 상태다. 때문에 중국 로컬 업체인 SMIC를 통해 반도체를 제조한다.
SMIC는 역시 미국의 제재로 인해 EUV(극자외선) 노광기 장비 조달이 막혀 있는 상태다. SMIC는 EUV보다 한 단계 낮은 DUV(심자외선) 장비를 보유하고 있다. DUV 장비로는 14나노미터 공정까지 제조가 가능하다.
SMIC는 화웨이와 함께 DUV로 두 번 패터닝하는 N+2 공정을 개발해 냈고, 이를 통해 7나노미터 반도체를 제작하는 데 성공했다.
이번에 화웨이가 개발한 기린 9030은 SMIC의 기존 N+2 공정에서 한 단계 더 진화된 N+3 공정으로 제조됐다. N+3 공정은 DUV 노광기를 사용해 3번 패터닝 작업을 하는 방식을 뜻한다.
N+3 공정을 개발해 냈지만 해당 공정은 여전히 7나노미터 공정에 머물러 있다는 것이 테크인사이트의 분석이다. 때문에 N+3 공정은 TSMC나 삼성전자의 파운드리 서비스에 비해 여전히 한 세대 뒤처진 것으로 평가됐다.
중국 매체들은 16일 해당 보고서를 전하면서 화웨이와 SMIC가 한 단계 더 진보된 공정을 개발해 냈다고 의미를 부여했다.
또한 기린 9030이 1년 전에 개발된 칩인 기린 9020에 비해 성능이 42% 향상된 것이 N+3 공정으로 비롯됐다고도 평가했다.
화웨이는 지난달 최신 스마트폰인 메이트 80을 발표했다. 메이트 80은 처음으로 기린 9030 칩을 탑재했다. 칩의 성능은 42% 향상됐지만, 자체 소프트웨어 혁신이 더해지면서 메이트 80은 1년 전 발표된 메이트 70에 비해 성능이 두 배가량 높아졌다는 평가를 받고 있다.
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