[서울=뉴스핌] 이나영 기자= 혼성신호 반도체 팹리스 전문기업 아이언디바이스가 중국 상하이에서 열리는 전력전자 전시회 'PCIM(Power Conversion and Intelligent Motion) ASIA 2025'에서 세계 최소형 GaN 전력소자 내장 고성능 하프브릿지(Half-Bridge) 구동IC 'SMA6534'를 공개했다고 25일 밝혔다.

'PCIM ASIA 2025'는 260여 개 전력반도체 기업이 참여하고 약 2만5000명의 전문가가 방문하는 아시아 최대 전력전자 전시회다. 특히 이번 전시회에는 국내외 전력반도체 기업들이 R&D 성과와 부품 및 모듈, 직접회로(IC), 열 관리 센서, 전력 변환기, 에너지 저장장치 등 글로벌 최신 기술 동향을 선보였다.

아이언디바이스는 개발을 완료한 전력반도체 제품을 출품하고 최근 연구 개발 성과를 공유한다. 무엇보다 세계 최소형 GaN(질화갈륨) 전력소자들과 드라이버 기능을 내장한 고성능 하프브릿지 구동IC인 'SMA6534' 공개를 통해 글로벌 비즈니스 기회를 확대할 계획이다.

'SMA6534'은 화합물 반도체인 GaN 소자들을 내장하고 특화된 구동회로까지 내장한 고성능 전력구동IC다. GaN 소자는 기존 실리콘 소재 대비 훨씬 빠른 스위칭과 우수한 전력 효율, 높은 내구성이 강점이다. 이 때문에 고성능을 필요로 하는 미래 산업에서 수요가 빠르게 증가하고 있다. 아이언디바이스가 이번에 공개한 제품은 GaN 소자를 빠르고 정밀하게 제어하여 구동하는 부품이며, 48V 전원을 사용하는 로봇, 전기차, 데이터센터, 고출력 오디오앰프 등의 고성능 응용분야에 적합한 제품이다.

이 제품의 주요 특징 중 하나는 빠른 스위칭 속도이다. 빠른 전달시간(Propagation delay) 시간이 약 24ns이며, 지연 시간 차이도 ±2ns 이내로 정밀해 신호 전달의 속도와 정확도가 매우 높다. 특히 MPU나 AP(Application Processor)로는 구현이 힘든 수ns 단위의 섬세한 제어를 위해, 'SMA6534'에는 GaN 소자 전용 제어 기능이 탑재되어 있을 뿐만 아니라 100V 하프브리지 GaN 소자를 함께 내장했다. 

아울러 열 방출을 위한 특수한 FoWLP(Fan-out Wafer-Level Package) 기술을 채택해 글로벌 기업 제품보다 약 40% 더 작은 4.9mm x 5.0mm의 초소형 크기를 구현했다. 그 결과 GaN 전력 소자 구동 시 고질적인 문제인 기생 인덕턴스(Parasitic Inductance) 같은 불필요한 영향을 최소화하고 방열을 효과적으로 구현하는 데 성공했다.

아이언디바이스 관계자는 "이번 전시회는 아이언디바이스의 GaN 전력반도체 기술력을 글로벌 시장에 알리고 고객사의 의견을 직접 들을 수 있는 중요한 기회"라며, "현장에서 얻은 피드백을 바탕으로 고객의 니즈에 부합하는 제품을 기획하고, 사업 확장을 위한 전략을 수립하는 데 집중할 것"이라고 밝혔다.

한편, 아이언디바이스는 최근 K-휴머노이드 연합에 합류해, 자체 개발한 GaN 전력반도체를 기반으로 휴머노이드 로봇의 크기와 비용을 줄이고, 액츄에이터 성능을 극대화하는 데 기여할 것으로 기대된다.

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