[서울=뉴스핌] 나은경 기자 = 삼성전자가 23일(현지시각) 미국 실리콘밸리에 위치한 삼성전자 미주법인(DSA) 사옥에서 '삼성 테크 데이(Samsung Tech Day) 2019'를 개최했다고 24일 밝혔다. 이날 행사에서 삼성전자는 고객 가치 창출을 극대화할 차세대 반도체 솔루션을 선보였다.

'혁신의 동력이 되다(Powering Innovation)'를 주제로 열린 이번 행사는 글로벌 정보기술(IT) 업체와 미디어, 애널리스트 등 500여명이 참석했다. 또 강인엽 삼성전자 시스템 LSI사업부 사장, 최주선 미주 지역총괄 부사장, 짐 엘리엇(Jim Elliott) 미주총괄 전무, 업계 주요 인사들이 반도체 시장의 트렌드와 주요 신제품 및 차세대 기술을 소개했다.

삼성 테크 데이는 매년 삼성전자의 반도체 신기술을 선보이는 행사로 올해 세 번째로 열렸다.

삼성전자는 시스템 반도체 부분에서 2개의 NPU(신경망처리장치) 코어로 인공지능 연산 성능을 대폭 향상시킨 고성능 모바일AP '엑시노스(Exynos) 990'과 5G 솔루션 신제품 '엑시노스 모뎀(Modem) 5123'을 공개했다.

두 제품은 최신 7나노 EUV(극자외선, Extreme Ultra Violet) 공정 기반의 차세대 프리미엄 모바일 솔루션이다.

강인엽 삼성전자 시스템 LSI사업부 사장은 "우리 일상에 다양한 인공지능(AI) 서비스와 5G 통신이 빠르게 적용되고 있다"며 "차세대 프리미엄 모바일 솔루션인 '엑시노스 990'과 '엑시노스 모뎀 5123'은 AI, 5G 시대에 최적화된 혁신적인 제품"이라고 밝혔다.

메모리 부분에서는 '3세대 10나노급(1z) D램'과 '7세대(1yy단) V낸드 기술', 'PCIe Gen5 SSD 기술', '12GB uMCP' 등 신제품과 개발중인 차세대 기술의 사업화 전략을 대거 공개했다. 메모리 기술 한계 극복을 통한 고객 가치 극대화 방안에 대해서도 공유했다.

메모리 전략 발표를 맡은 한진만 메모리사업부 전략마케팅팀 전무는 D램의 공정 미세화·속도 고성능화에 따른 공통적 난제인 신뢰성 확보와 소비전력 절감 방안에 대한 기술개발 전략을 소개했다. 이어 초격차 V낸드 기술 개발의 의미, 고용량화에 따른 효율성 제고, QLC를 포함한 솔루션 기술 발전 방향과 난제를 해결하기 위한 삼성의 개발 방향을 제시하고 산업 전반에 걸친 협업 강화를 제안했다.

최주선 삼성전자 미주 지역총괄 부사장은 개회사에서 "AI, 5G, 클라우드·엣지 컴퓨팅, 자율주행 등 빠르게 변화하는 시장 트렌드에 최적화된 차세대 반도체 솔루션을 선보이게 돼 기쁘다"며 "앞으로도 더욱 혁신적인 반도체 기술 개발을 통해 미래 IT 산업 전반에 걸쳐 새로운 가능성을 열어 나가는 데 기여할 것"이라고 말했다.

◆AI 성능 높인 '엑시노스 990'·2배 빠른 '엑시노스 모뎀 5123'

삼성전자가 이번에 선보인 시스템 LSI는 '엑시노스 990'과 '엑시노스 모뎀 5123'이다.

먼저 엑시노스 990은 모바일 고객들이 폭 넓은 분야에서 AI 기능을 활용할 수 있도록 확장성을 높인 것이 특징이다. 특히 '얼굴 인식' 기능은 '온 디바이스 AI(On-Device AI)'와 결합해 잠금 해제와 같은 단순 인증뿐 아니라 모바일 뱅킹, 쇼핑 등의 금융결제 시스템 사용자 인증에 활용함으로써 모바일 기기의 보안성을 강화했다.

삼성전자가 이번에 선보인 '엑시노스 모뎀 5123'은 6GHz 이하 5G 네트워크에서 기존 대비 최고 2배 빨라진 초당 5.1Gb 다운로드 속도를 구현했다. 이 속도는 업계 최고 수준이라는 게 삼성전자측 설명이다. 5G망을 단독 사용하는 SA모드(Stand Alone)와 LTE 망을 공유하는 NSA모드(Non-Stand Alone)를 모두 사용할 수 있다.

8개의 주파수를 하나로 묶는 기술(CA·Carrier Aggregation)을 적용해 6GHz 이하 5G 네트워크에서뿐 아니라 밀리미터파(mmWave)대역에서도 초당 최대 7.35Gb의 업계 최고 수준의 다운로드 속도를 지원한다.

◆고용량·고성능 메모리 '3세대 10나노급(1z) D램'·'7세대(1yy단) V낸드' 기술

삼성전자는 '3세대 10나노급(1z) D램'과 '7세대(1yy단) V낸드' 기술을 비롯한 메모리 반도체 기술에 대해서도 발표했다.

삼성전자는 지난 9월부터 업계 최초로 '3세대 10나노급(1z) D램'을 본격 양산하기 시작했다. 이를 기반으로 내년 초 최고 성능, 최대 용량의 D램 라인업을 공급해 프리미엄 D램 시장의 성장을 지속 주도할 전략이다. 특히 역대 최대 용량인 512GB DDR5 D램을 비롯해 초고성능, 초고용량 차세대 메모리 솔루션을 제공해 글로벌 고객들이 차세대 시스템을 적기에 출시하는데 기여할 예정이다.

박광일 D램 개발실 전무는 "지난 3월 업계 최초로 3세대 10나노급(1z) D램을 개발한 데 이어, 최고 속도·최대 용량의 DDR5 D램, 모바일 LPDDR5, 초고속 GDDR6, HBM3 등 차세대 프리미엄 라인업을 적기 양산할 수 있도록 준비하고 있다"며 "앞으로도 기술 리더십을 유지하고 에코시스템 업체들과 자율주행, AI 응용시장에서 안전성 향상을 위한 기술 협력을 확대해 나갈 것"이라고 말했다.

이번에 사업화 전략을 공개한 '7세대(1yy단) V낸드' 기술은 지난 7월 업계 최초 양산한 6세대(1xx) V낸드와 SSD에 이어 용량과 성능을 2배 향상한 새 기술이다.

업계 유일 100단 이상의 셀을 한 번에 뚫는 단일 공정(1 Etching Step)을 개선한 적층 기술과 칩 면적 최소화 기술을 접목한 제품이다. 내년에 출시된다.

강동구 플래시 개발실 상무는 "7세대 V낸드에는 더 혁신적인 기술을 적용해 속도와 용량을 향상시키고 고객들이 소비자의 사용편의성을 높인 차세대 시스템을 계획대로 출시하도록 도울 것"이라고 말했다.

nanana@newspim.com