[뉴스핌=황세준 기자] 삼성전자가 4세대(64단) 3D낸드(V낸드)플래시를 사용한 스토리지 제품 3종을 미국서 공개했다.

삼성전자는 지난 10일 미국 산타클라라 컨벤션 센터에서 열린 '플래시 메모리 서밋 2016(Flash Memory Summit)'에서 차세대 V낸드 솔루션을 전격 공개했다고 11일 밝혔다.

회사측에 따르면 기존 4세대 낸드플래시 제품은 3세대(48단) 제품 대비 적층 단수를 30% 높여 고용량, 초소형, 고성능 저장장치(SSD)를 실현했다.

이번에 공개한 제품은 고용량 서버용 32TB SAS SSD, 울트라 슬림 PC용 1TB BGA NVMe SSD, 하이엔드용 Z- SSD 등이다. 

고용량 서버용 32TB SAS SSD는 16TB인 기존 제품보다 용량을 2배 높인 세계 최대 용량의 제품으로 내년 중 출시할 예정이다.

기존에 HDD로 구성한 시스템을 32TB SAS SSD로 대체하면 시스템이 차지하는 물리적인 공간을 약 1/40로 줄일 수 있다.

삼성전자는 2020년까지 100TB이상 초고용량 SSD를 개발해 테라 SSD 대중화를 선도하고 데이터센터와 기업용 스토리지 SSD 시장을 지속 선점한다는 방침이다.

울트라 슬림 PC용 1TB BGA NVMe SSD는 삼성전기와 고집적 패키지 기술(FO-PLP)을 공동 개발해 만든 1센트 동전 크기 초소형 제품으로 내년 중 출시할 예정이다.

이 제품의 연속 읽기속도는 기존 SSD보다 3배 빠른 1500MB/s다. 또 고속 쓰기 기술을 적용해 쓰기속도도 900MB/s에 이른다. 이는 고해상도 Full HD급 영화 1편(5GB)을 약 3초에 전송하고 약 6초에 저장할 수 있는 속도다.

아울러 이 제품은 기존 제품 대비 크기를 50% 이상 줄여 대용량 배터리 탑재 공간을 확보하는 등 울트라 슬림 PC의 디자인 유연성 향상에 기여할 수 있다.

하이엔드용 Z- SSD는 NVMe SSD 대비 응답시간 4배 이상, 연속 읽기속도 1.6 배 빠른 제품으로 내년 중 출시할 예정이다. 이 제품은 빅데이터 분석, 서버용 캐시 등 실시간 분석이 요구되는 고성능 시장에 적합하다.

삼성전자는 2013년 세계 최초로 V낸드(1세대, 24단)를 양산하며 3차원 메모리 반도체 시대를 개척했고 매년 적층 단수를 늘리며 프리미엄 메모리 시장을 선도하고 있다.

전영현 삼성전자 메모리사업부 사장은 "고객들에게 4세대 V낸드 기반 고용량, 고성능, 초소형 솔루션을 제공해 스토리지 시스템의 TCO(Total Cost of Ownership) 절감 효과를 극대화할 수 있게 됐다”며 “향후 독보적인 V낸드 기술을 바탕으로 스토리지 사업 영역을 지속 확대해 나갈 것”이라고 밝혔다.
 

[뉴스핌 Newspim] 황세준 기자 (hsj@newspim.com)